Philip G. Neudeck: шукати на сайті Z-Library

Chen, Liang Yu, Johnson, R. Wayne, Neudeck, Philip G., Beheim, Glenn M., Spry, David J., Meredith, Roger D., Hunter, Gary W.

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 1995

Packaging Technologies for 500°C SiC Electronics and Sensors

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2012

Study of Defect Structures in 6H-SiCa/m-Plane Pseudofiber Crystals Grown by Hot-Wall CVD Epitaxy

Goue, Ouloide Y., Raghothamachar, Balaji, Yang, Yu, Guo, Jianqiu, Dudley, Michael, Kisslinger, Kim, Trunek, Andrew J., Neudeck, Philip G., Spry, David J., Woodworth, Andrew A.

Журнал:

Neudeck, Philip G., Meredith, Roger D., Chen, Liangyu, Spry, David J., Nakley, Leah M., Hunter, Gary W.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.71 MB

english, 2016

Prolonged silicon carbide integrated circuit operation in Venus surface atmospheric conditions

Журнал:

AIP Advances

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 11.44 MB

english, 2016

[IEEE 2018 IEEE Topical Conference on Wireless Sensors and Sensor Networks (WiSNet) - Anaheim, CA, USA (2018.1.14-2018.1.17)] 2018 IEEE Topical Conference on Wireless Sensors and Sensor Networks (WiSNet) - A High Frequency (HF) inductive power transfer circuit for high temperature applications using SiC Schottky diodes

Jordan, Jennifer L., Ponchak, George E., Spry, David J., Neudeck, Philip G.

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.27 MB

english, 2018

Demonstration of 4H-SiC JFET Digital ICs Across 1000°C Temperature Range without Change to Input Voltages

Neudeck, Philip G., Spry, David J., Krasowski, Michael J., Prokop, Norman F., Chen, Liang Yu

Журнал:

Andrew J. Trunek, Philip G. Neudeck, Kevin Matocha, Greg Dunne

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.50 MB

english, 2019

Increased nitrogen doping of thin lateral SiC cantilevers

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 453 KB

english, 2008

Synchrotron white-beam topographic studies of 2H–SiC crystals

William M Vetter, Wei Huang, Philip Neudeck, J.Anthony Powell, Michael Dudley

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 202 KB

english, 2001

Surface and interface properties of PdCr/SiC Schottky diode gas sensor annealed at 425°C

Liang-Yu Chen, Gary W Hunter, Philip G Neudeck, Dak Knight

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 298 KB

english, 1998

Extreme temperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology

Philip G. Neudeck, Steven L. Garverick, David J. Spry, Liang-Yu Chen, Glenn M. Beheim, Michael J. Krasowski, Mehran Mehregany

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.32 MB

english, 2009

Epitaxial SiC Growth Morphology and Extended Defects Investigated by Electron Backscatter Diffraction and Electron Channeling Contrast Imaging

Yoosuf N. Picard, Mark E. Twigg, Joshua D. Caldwell, Charles R. Eddy, Philip G. Neudeck, Andrew J. Trunek, J. Anthony Powell

Журнал:

Kevin M. Speer, Philip G. Neudeck, David J. Spry, Andrew J. Trunek, Pirouz Pirouz

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 536 KB

english, 2008

Cross-sectional TEM and KOH-Etch Studies of Extended Defects in 3C-SiCp+nJunction Diodes Grown on 4H-SiC Mesas

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 566 KB

english, 2008

Perimeter governed minority carrier lifetimes in 4H-SiC p+n diodes measured by reverse recovery switching transient analysis

Philip G. Neudeck

Журнал:

Larkin, David J., Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony, Matus, Lawrence G.

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 185 KB

english, 1998

Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics

Журнал:

Powell, J. Anthony, Neudeck, Philip G., Trunek, Andrew J., Beheim, Glenn M., Matus, Lawrence G., Hoffman, Richard W., Keys, Luann J.

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 655 KB

english, 1994

[American Institute of Aeronautics and Astronautics 31st Joint Propulsion Conference and Exhibit - San Diego,CA,U.S.A. (10 July 1995 - 12 July 1995)] 31st Joint Propulsion Conference and Exhibit - Silicon carbide-based hydrogen and hydrocarbon gas detection

Hunter, Gary, Neudeck, Philip, Chen, uKnight, D, Liang-YuKnight,, Liu, C, Wu, Q

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 600 KB

english, 1995

[American Institute of Aeronautics and Astronautics 34th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference and Exhibit - Cleveland,OH,U.S.A. (13 July 1998 - 15 July 1998)] 34th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference and Exhibit - A hazardous gas detection system for aerospace and commercial applications

Hunter, Gary, Neudeck, Philip, Chen, Liang-Yu, Makel, Darby, Liu, C., Wu, Q., Knight, D.

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 1998

[American Institute of Aeronautics and Astronautics 42nd AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference & Exhibit - Sacramento, California ()] 42nd AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference & Exhibit - Intelligent Chemical Sensor Systems for In-Space Safety Applications

Hunter, Gary, Xu, Jennifer, Neudeck, Philip, Makel, Darby, Ward, Benjamin, Liu, C.C.

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 455 KB

english, 2006

Growth of step-free surfaces on device-size (0001)SiC mesas

Журнал:

Neudeck, Philip G., Spry, David J., Chen, Liang-Yu, Beheim, Glenn M., Okojie, Robert S., Chang, Carl W., Meredith, Roger D., Ferrier, Terry L., Evans, Laura J., Krasowski, Michael J., Prokop, Norman F

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 544 KB

english, 2000

Stable Electrical Operation of 6H–SiC JFETs and ICs for Thousands of Hours at 500 $^{\circ}\hbox{C}$

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 429 KB

english, 2008

2000 V 6H-SiC p-n junction diodes grown by chemical vapor deposition

Neudeck, Philip G., Larkin, David J., Powell, J. Anthony, Matus, Lawrence G., Salupo, Carl S.

Журнал:

Saddow, Stephen E., Lang, Manfred, Dalibor, Thomas, Pensl, Gerhard, Neudeck, Philip G.

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 636 KB

english, 1994

Thermal capacitance spectroscopy of epitaxial 3C and 6H-SiC pn junction diodes grown side by side on a 6H-SiC substrate

Журнал:

Mazzola, Michael S., Saddow, Stephen E., Neudeck, Philip G., Lakdawala, V. K., We, Susan

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 323 KB

english, 1995

Observation of the D-center in 6H-SiC p-n diodes grown by chemical vapor deposition

Журнал:

Picard, Yoosuf N., Caldwell, Joshua D., Twigg, Mark E., Eddy, Chip R., Mastro, Michael A., Henry, Richard L., Holm, Ronald T., Neudeck, Philip G., Trunek, Andrew J., Powell, J. Anthony

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 625 KB

english, 1994

[IEEE 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - College Park, MD, USA (2007.12.12-2007.12.14)] 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - The influence of substrate atomic step morphology on threading dislocation distributions in iii-nitride films

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 444 KB

english, 2007

High‐field fast‐risetime pulse failures in 4H‐ and 6H‐SiC pn junction diodes

Neudeck, Philip G., Fazi, Christian

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 540 KB

english, 1996

Enlargement of step-free SiC surfaces by homoepitaxial web growth of thin SiC cantilevers

Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony, Beheim, Glenn M., Benavage, Emye L., Abel, Phillip B., Trunek, Andrew J., Spry, David J., Dudley, Michael, Vetter, William M.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.28 MB

english, 2002

Photoconductive and photovoltaic response of high-dark-resistivity 6H-SiC devices

Cho, Pak S., Goldhar, Julius, Lee, Chi H., Saddow, Stephen E., Neudeck, Philip

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 1995

Schottky Barriers for Pt, Mo and Ti on 6H and 4H SiC (0001), (000-1), (1-100) and (1-210) Faces Measured by I-V, C-V and Internal Photoemission

Shigiltchoff, O., Bai, Song, Devaty, Robert P., Choyke, W.J., Kimoto, Tsunenobu, McD. Hobgood, H., Neudeck, Philip G., Porter, L.M.

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 168 KB

english, 2003

Fabrication and Testing of 6H-SiC JFETs for Prolonged 500 °C Operation in Air Ambient

Spry, David J., Neudeck, Philip G., Chen, Liang Yu, Beheim, Glenn M., Okojie, Robert S., Chang, Carl W., Meredith, Roger D., Ferrier, Terry L., Evans, Laura J.

Журнал:

Neudeck, Philip G., Spry, David J., Chen, Liang Yu, Chang, Carl W., Beheim, Glenn M., Okojie, Robert S., Evans, Laura J., Meredith, Roger D., Ferrier, Terry L., Krasowski, Michael J., Prokop, Norman F

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 353 KB

english, 2009

Prolonged 500 °C Operation of 6H-SiC JFET Integrated Circuitry

Журнал:

Shigiltchoff, O., Kimoto, Tsunenobu, McD. Hobgood, H., Neudeck, Philip G., Porter, L.M., Devaty, Robert P., Choyke, W.J.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 575 KB

english, 2009

Schottky Barriers for Pt on 6H- and 4H-SiC (0001), (000-1), (1-100) and (1-210) Faces Measured by I-V, C-V and Internal Photoemission

Журнал:

Neudeck, Philip G., Trunek, Andrew J., Powell, J. Anthony

Рік:

2002

Файл:

PDF, 373 KB

2002

Atomic Force Microscope Observation of Growth and Defects on As-Grown (111) 3C-SiC Mesa Surfaces

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.62 MB

english, 2004

Characterization of SiC Epitaxial Structures using High-Resolution X-Ray Diffraction Techniques

Huang, X., Dudley, Michael, Cho, W., Okojie, Robert S., Neudeck, Philip G.

Журнал:

Neudeck, Philip G., Krasowski, Michael J., Chen, Liang Yu, Prokop, Norman F.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.08 MB

english, 2004

Characterization of 6H-SiC JFET Integrated Circuits over a Broad Temperature Range from -150 °C to +500 °C

Журнал:

Speer, Kevin M., Neudeck, Philip G., Mehregany, Mehran

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 400 KB

english, 2010

A Reduction of Defects in the SiO2-SiC System Using the SiC Vacuum Field-Effect Transistor (VacFET)

Журнал:

Trunek, Andrew J., Powell, J. Anthony, Neudeck, Philip G., Mrdenovich, M.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 664 KB

english, 2012

HCl Etching Behavior on Low-Tilt-Angle and Step-Free 4H-SiC Surfaces

Журнал:

Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony, Trunek, Andrew J., Spry, David J.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.27 MB

english, 2009

Step Free Surface Heteroepitaxy of 3C-SiC Layers on Patterned 4H/6H-SiC Mesas and Cantilevers

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 947 KB

english, 2004

Hydrogen Gas Sensors Fabricated on Atomically Flat 4H-SiC Webbed Cantilevers

Neudeck, Philip G., Spry, David J., Trunek, Andrew J., Evans, Laura J., Chen, Liang Yu, Hunter, Gary W., Androjna, D.

Журнал:

Shenai, Krishna, Neudeck, Philip G., Dudley, M., Davis, Robert F.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 556 KB

english, 2009

Material Defects and Rugged Electrical Power Switching in Semiconductors

Журнал:

Du, H., Skowronski, Marek, Neudeck, Philip G., Trunek, Andrew J., Spry, David J., Powell, J. Anthony

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 495 KB

english, 2012

Relaxation Mechanism of the Defect-Free 3C-SiC Epitaxial Films Grown on Step-Free 4H SiC Mesas

Журнал:

Vetter, William M., Dudley, Michael, Huang, W., Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.32 MB

english, 2006

Synchrotron White Beam X-ray Topography and Atomic Force Microscopy Studies of a 540R-SiC Lely Platelet

Журнал:

Рік:

2000

Файл:

PDF, 476 KB

2000

[ECS 212th ECS Meeting - Washington, DC (October 7 - October 12, 2007)] ECS Transactions - An Overview of Wide Bandgap SiC Sensor and Electronics Development at NASA Glenn Research Center

Hunter, G., Neudeck, Philip G., Beheim, Glenn, Okojie, Robert S., Chen, Liangyu, Spry, David J., Trunek, Andrew

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 448 KB

english, 2007

High Temperature Capacitive Pressure Sensor Employing a SiC Based Ring Oscillator

Meredith, Roger D., Neudeck, Philip G., Ponchak, G.E., Beheim, Glenn M., Scardelletti, M.C., Jordan, J.L., Chen, L.Y., Spry, David J., Krasowski, Michael J., Hunter, Gary W.

Журнал:

Neudeck, Philip G., Spry, David J., Chen, Liang Yu, Okojie, Robert S., Beheim, Glenn M., Meredith, Roger, Ferrier, Terry L.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 533 KB

english, 2012

SiC Field Effect Transistor Technology Demonstrating Prolonged Stable Operation at 500 °C

Журнал:

Dudley, Michael, Vetter, William M., Huang, X., Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 651 KB

english, 2007

Polytype Identification and Mapping in Heteroepitaxial Growth of 3C on Atomically Flat 4H-SiC Mesas Using Synchrotron White-Beam X-Ray Topography

Журнал:

Trunek, Andrew J., Neudeck, Philip G., Spry, David J.

Рік:

2002

Файл:

PDF, 449 KB

2002

Experimental Observations of Extended Growth of 4H-SiC Webbed Cantilevers

Журнал:

Woodworth, Andrew A., Neudeck, Philip G., Sayir, Ali, Spry, David J., Trunek, Andrew J., Powell, J. Anthony

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.66 MB

english, 2006

SiC Growth by Solvent-Laser Heated Floating Zone

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.31 MB

english, 2012

SiC-Based Gas Sensor Development

Hunter, Gary W., Neudeck, Philip G., Gray, M., Androjna, D., Chen, Liang Yu, Hoffman Jr., Richard W., Liu, C.C., Wu, Q.H.

Журнал:

Fazi, C., Neudeck, Philip G.

Рік:

2000

Файл:

PDF, 377 KB

2000

Wide Dynamic Range RF Mixers Using Wide-Bandgap Semiconductors

Журнал:

Fu, Xiao An, Patil, Amita, Neudeck, Philip G., Beheim, Glenn M., Garverick, Steven, Mehregany, Mehran

Рік:

1998

Файл:

PDF, 268 KB

1998

6H-SiC Lateral JFETs for Analog Integrated Circuits

Журнал:

Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony, Trunek, Andrew J., Huang, X., Dudley, Michael

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 369 KB

english, 2009

Growth of Defect-Free 3C-SiC on 4H- and 6H-SiC Mesas Using Step-Free Surface Heteroepitaxy

Журнал: